ROHM R6013VND3 NaN N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6013VND3TL1
- RS Stock No.:
- 265-5415
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6013VND3TL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB433.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB463.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 2,445 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB86.65 | THB433.25 |
| 50 - 95 | THB77.902 | THB389.51 |
| 100 - 245 | THB62.518 | THB312.59 |
| 250 - 995 | THB61.25 | THB306.25 |
| 1000 + | THB44.386 | THB221.93 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 265-5415
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6013VND3TL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | R6013VND3 NaN | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 131W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS NaN | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series R6013VND3 NaN | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.3Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 131W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS NaN | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM power MOSFET with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications.
Fast reverse recovery time (trr)
Low on resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM R6013VND3 NaN N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD50R N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R180C7ATMA1
- Infineon IPD50R N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 10-Pin TO-252 IPDD60R190G7XTMA1
- STMicroelectronics MDmesh 13 A 3-Pin TO-220 STP13NK60ZFP
- STMicroelectronics MDmesh 13 A 3-Pin TO-220 STP13NK60Z
- STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP18NM60N
- Vishay EF N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHF085N60EF-GE3
- STMicroelectronics STB N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18N60M6