Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 81 A, 20 V Enhancement, 2-Pin DirectFET IRF6636TRPBF

RS Stock No.:: 222-4739
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF6636TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 81 A, 20 V Enhancement, 2-Pin DirectFET IRF6636TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB638.73

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB683.44

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 10	THB63.873	THB638.73
20 - 90	THB62.276	THB622.76
100 - 240	THB60.719	THB607.19
250 - 490	THB59.201	THB592.01
500 +	THB57.721	THB577.21

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4739
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF6636TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	81A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	DirectFET
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	2
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Power Dissipation Pd	42W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	18nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Height	0.68mm
	Length	4.85mm
	Width	3.95 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 81A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type DirectFET
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 2
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Power Dissipation Pd 42W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Height 0.68mm
	Length 4.85mm
	Width 3.95 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF6636TRPBF

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced Direct FETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes.

100% Rg tested Low Conduction and Switching Losses

Ultra Low Package Inductance Ideal for CPU Core DC-DC Converters

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 81 A, 20 V Enhancement, 2-Pin DirectFET IRF6636TRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง