Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 28 A, 150 V, 2-Pin DirectFET IRF6775MTRPBF
- RS Stock No.:
- 218-3102
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF6775MTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB413.27
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB442.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 1190 | THB41.327 | THB413.27 |
| 1200 - 2390 | THB40.292 | THB402.92 |
| 2400 + | THB39.673 | THB396.73 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-3102
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF6775MTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 28A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | DirectFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 2 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 56mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Width | 3.95 mm | |
| Length | 4.85mm | |
| Height | 0.68mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 28A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type DirectFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 2 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 56mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Width 3.95 mm | ||
Length 4.85mm | ||
Height 0.68mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 150V Single N-channel HEXFET power MOSFET. This Digital Audio MOSFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. The lower inductance improves EMI performance by reducing the voltage ringing that accompanies fast current transients.
Latest MOSFET Silicon technology
Dual sided cooling compatible
Compatible with existing surface mount technologies
Lead-Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 2-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 2-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 2-Pin DirectFET IRF6620TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 2-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 2-Pin DirectFET IRF6636TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 7-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 15-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 7-Pin DirectFET