Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 81 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP054NPBF
- RS Stock No.:
- 541-1253
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFP054NPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB96.03
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB102.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 49 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 45 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 6 | THB96.03 |
| 7 - 34 | THB94.10 |
| 35 + | THB77.43 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 541-1253
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFP054NPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 81A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 12mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 130nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 170W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 15.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.3 mm | |
| Height | 20.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 81A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 12mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 130nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 170W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 15.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.3 mm | ||
Height 20.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 81A Maximum Continuous Drain Current, 170W Maximum Power Dissipation - IRFP054NPBF
This MOSFET provides a robust solution for high-speed performance and efficient power management. With its N-channel configuration, the device ensures dependable operation across various electronic circuits. It accommodates continuous drain currents up to 81A and has a voltage rating of 55V, making it a notable choice for professionals in the automation, electronics, and mechanical sectors.
Features & Benefits
• Maximum continuous drain current of 81A supports high-performance applications
• Low on-resistance of 12mΩ contributes to improved efficiency
• Wide gate threshold voltage range allows for versatile circuit designs
• High power dissipation capability of 170W ensures long-lasting operation
• Compact TO-247AC package simplifies installation
Applications
• Used in power conversion and motor control systems
• Integral to power supply and amplifier circuits
• Applicable in renewable energy systems for efficient switching
• Suitable for automotive , enhancing performance resilience
What is the maximum power dissipation capability of this device?
The maximum power dissipation is rated at 170W, allowing it to manage substantial loads effectively.
How does the gate threshold voltage affect operation?
The gate threshold voltage ranges from 2V to 4V, which enables compatibility with various circuit designs and ensures efficient operation within specified parameters.
Can this MOSFET be used in high-temperature environments?
Yes, it operates within a temperature range of -55°C to +175°C, making it suitable for challenging thermal conditions.
What are the benefits of using a low RDS(on)?
A low RDS(on) of 12mΩ reduces heat generation and enhances efficiency, critical for high-performance applications.
Is it easy to install in existing electronic systems?
The TO-247AC package type is designed for through-hole mounting, making it straightforward to install in various applications.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 2-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 2-Pin DirectFET IRF6636TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP064NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP1405PBF
- ROHM Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
