Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 76 A, 600 V Enhancement, 4-Pin TO-247 IPZA60R037P7XKSA1
- RS Stock No.:
- 222-4731
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPZA60R037P7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB367.72
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB393.46
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 108 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB367.72 |
| 10 - 99 | THB358.53 |
| 100 - 249 | THB349.56 |
| 250 - 499 | THB340.82 |
| 500 + | THB332.29 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4731
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPZA60R037P7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 76A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | CoolMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 37mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 121nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 255W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 15.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.1 mm | |
| Height | 21.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 76A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series CoolMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 37mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 121nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 255W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 15.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.1 mm | ||
Height 21.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of Cool MOS™ 7th generation platform is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.
Excellent ESD robustness >2kV (HBM) for all products
Significant reduction of switching and conduction losses Excellent ESD robustness >2kV (HBM) for all products
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin TO-247 IPZ60R017C7XKSA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 4-Pin TO-247 IPZ65R065C7XKSA1
- Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin VSON
- Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 4-Pin TO-247