Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V Enhancement, 4-Pin VSON IPL60R185C7AUMA1
- RS Stock No.:
- 222-4683
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPL60R185C7AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB605.35
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB647.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,995 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB121.07 | THB605.35 |
| 10 - 95 | THB118.044 | THB590.22 |
| 100 - 245 | THB115.092 | THB575.46 |
| 250 - 495 | THB112.214 | THB561.07 |
| 500 + | THB109.408 | THB547.04 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4683
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPL60R185C7AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | VSON | |
| Series | CoolMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 185mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 77W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 8.1mm | |
| Width | 8.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type VSON | ||
Series CoolMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 185mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 77W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 8.1mm | ||
Width 8.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Green Product (RoHS compliant)
MSL1 up to 260°C peak reflow AEC Q101 qualified
OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin VSON IPL60R185C7AUMA1
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL60R095CFD7AUMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL60R105P7AUMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL60R065P7AUMA1
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL65R130C7AUMA1
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 4-Pin PG-VSON-4 IPL65R230C7AUMA1
- Vishay SIHH N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH250N60EF-T1GE3
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin TO-247 IPZA60R037P7XKSA1