Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V Enhancement, 4-Pin VSON IPL60R185C7AUMA1

RS Stock No.:: 222-4683
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPL60R185C7AUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V Enhancement, 4-Pin VSON IPL60R185C7AUMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB465.65

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB498.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 5	THB93.13	THB465.65
10 - 95	THB90.802	THB454.01
100 - 245	THB88.532	THB442.66
250 - 495	THB86.318	THB431.59
500 +	THB84.16	THB420.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4683
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPL60R185C7AUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	CoolMOS
	Package Type	VSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	185mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	77W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	24nC
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	8.1 mm
	Length	8.1mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.1mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series CoolMOS
	Package Type VSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 185mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 77W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 8.1 mm
	Length 8.1mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPL60R185C7AUMA1

The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Green Product (RoHS compliant)

MSL1 up to 260°C peak reflow AEC Q101 qualified

OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V Enhancement, 4-Pin VSON IPL60R185C7AUMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง