Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 1.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- RS Stock No.:
- 222-4716
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPU80R4K5P7AKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*
THB1,220.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,306.125
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 75 - 150 | THB16.276 | THB1,220.70 |
| 225 - 300 | THB15.648 | THB1,173.60 |
| 375 + | THB15.45 | THB1,158.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4716
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPU80R4K5P7AKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | CoolMOS | |
| Package Type | TO-251 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 13W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 6.22 mm | |
| Height | 2.41mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series CoolMOS | ||
Package Type TO-251 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4nC | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 13W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Width 6.22 mm | ||
Height 2.41mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of Cool MOS™ P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation.
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Superior thermal resistance 100% avalanche tested
Halogen-free according to IEC61249-2-23
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPU80R4K5P7AKMA1
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R4K5P7ATMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251