Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 1.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R4K5P7ATMA1

RS Stock No.:: 219-5996
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPN80R4K5P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 1.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R4K5P7ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB27,303.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB29,214.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB9.101	THB27,303.00
6000 - 6000	THB8.828	THB26,484.00
9000 +	THB8.563	THB25,689.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 219-5996
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPN80R4K5P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	SOT-223
	Series	CoolMOS P7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	450mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd	6W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.7mm
	Width	3.7mm
	Height	1.8mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type SOT-223
	Series CoolMOS P7
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 450mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd 6W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.7mm
	Width 3.7mm
	Height 1.8mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon CoolMOS P7 Series MOSFET, 800V Maximum Drain Source Voltage, 1.5A Maximum Continuous Drain Current - IPN80R4K5P7ATMA1

This MOSFET is a high-voltage switching transistor designed for surface-mount power conversion and control tasks. It operates reliably across a wide ambient range and is intended for use where robust voltage blocking and moderate continuous current capability are required.

Features and Benefits:

• 800V drain-source rating enables high-voltage applications
• 450mΩ RDS(on) limits conduction losses during switching
• 4nC typical gate charge reduces drive energy requirements
• 1.5A continuous drain current supports steady-state loads
• 6W maximum power dissipation manages thermal stress during operation
• ±20V gate tolerance allows standard gate‑drive voltages

Applications

• Suitable for offline power supplies handling high voltages
• Ideal for boost converters in industrial systems
• Used for switch‑mode power stages with moderate currents
• Can be used for semiconductor testing fixtures requiring 800V
• Used with surface‑mount assemblies on Compact power boards

What ambient temperatures can it operate within?

It functions across a wide temperature span from −55°C to 150°C, providing suitability for severe thermal environments.

How does the package influence thermal performance?

The SOT‑223 surface‑mount package offers a small footprint while enabling heat dissipation compatible with a 6W maximum power dissipation when appropriately mounted.

What gate‑drive considerations are required?

The device accepts up to ±20V between gate and source and typically needs drive energy corresponding to a 4nC total gate charge for Rapid switching.

What switching topology benefits most from its characteristics?

High‑voltage N‑channel enhancement operation makes it appropriate for topologies that require 800V blocking with moderate continuous current handling.