Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 8.5 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- RS Stock No.:
- 222-4712
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPSA70R600P7SAKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*
THB1,793.175
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,918.725
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 75 - 150 | THB23.909 | THB1,793.18 |
| 225 - 300 | THB22.981 | THB1,723.58 |
| 375 + | THB22.697 | THB1,702.28 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4712
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPSA70R600P7SAKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Series | CoolMOS | |
| Package Type | TO-251 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 600mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 43.1W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 2.38 mm | |
| Length | 6.6mm | |
| Height | 6.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Series CoolMOS | ||
Package Type TO-251 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 43.1W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 2.38 mm | ||
Length 6.6mm | ||
Height 6.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.
Product validation acc. JEDEC Standard
Low switching losses (Eoss)
Integrated ESD protection diode
Excellent thermal behaviour
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R600P7SAKMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R900P7SAKMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R450P7SAKMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R1K4P7SAKMA1
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251