Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET, 8.5 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R600P7SAKMA1
- RS Stock No.:
- 222-4712
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPSA70R600P7SAKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 225 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB225.00
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*
THB1,931.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,067.08
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 75 - 150 | THB25.758 | THB1,931.85 | - |
| 225 - 300 | THB24.758 | THB1,856.85 | THB225.00 |
| 375 + | THB24.452 | THB1,833.90 | THB489.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4712
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPSA70R600P7SAKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Package Type | TO-251 | |
| Series | CoolMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 600mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 43.1W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16V | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 2.38mm | |
| Length | 6.6mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 6.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Package Type TO-251 | ||
Series CoolMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 43.1W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 2.38mm | ||
Length 6.6mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 6.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R600P7SAKMA1
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R900P7SAKMA1
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R450P7SAKMA1
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R1K4P7SAKMA1
- Infineon IPS70R N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS70R600P7SAKMA1
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 700 V N, 3-Pin TO-220 IPAN70R600P7SXKSA1
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251