Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R1K4P7SAKMA1
- RS Stock No.:
- 222-4708
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPSA70R1K4P7SAKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*
THB1,385.10
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,482.08
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 75 - 150 | THB18.468 | THB1,385.10 |
| 225 - 300 | THB17.766 | THB1,332.45 |
| 375 + | THB17.543 | THB1,315.73 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4708
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPSA70R1K4P7SAKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Package Type | TO-251 | |
| Series | CoolMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 22.7W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 6.1mm | |
| Width | 2.38mm | |
| Length | 6.6mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Package Type TO-251 | ||
Series CoolMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 22.7W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 6.1mm | ||
Width 2.38mm | ||
Length 6.6mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.
Product validation acc. JEDEC Standard
Low switching losses (Eoss)
Integrated ESD protection diode
Excellent thermal behaviour
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R1K4P7SAKMA1
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R900P7SAKMA1
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R450P7SAKMA1
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R600P7SAKMA1
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon IPS70R N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS70R1K4P7SAKMA1
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS60R1K0CEAKMA1