Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET, 10 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R450P7SAKMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*

THB1,640.18

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,755.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 1,350 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
75 - 150THB21.869THB1,640.18
225 - 300THB21.029THB1,577.18
375 +THB20.757THB1,556.78

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
222-4710
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPSA70R450P7SAKMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Package Type

TO-251

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

450mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13.1nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

6.1mm

Standards/Approvals

No

Length

6.6mm

Width

2.38mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.

Product validation acc. JEDEC Standard

Low switching losses (Eoss)

Integrated ESD protection diode

Excellent thermal behaviour

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง