Infineon Dual CoolMOS 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S4L22ATMA1

RS Stock No.:: 222-4681
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG20N10S4L22ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Dual CoolMOS 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S4L22ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB454.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB485.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

7,850 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 10	THB45.41	THB454.10
20 - 90	THB44.274	THB442.74
100 - 240	THB43.167	THB431.67
250 - 490	THB42.088	THB420.88
500 +	THB41.036	THB410.36

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4681
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG20N10S4L22ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	Power Transistor
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TDSON
	Series	CoolMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	22mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	60W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	21nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	1mm
	Width	5.9 mm
	Length	5.15mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type Power Transistor
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TDSON
	Series CoolMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 60W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 1mm
	Width 5.9 mm
	Length 5.15mm
	Standards/Approvals AEC-Q101
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPG20N10S4L22ATMA1

The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Green Product (RoHS compliant)

MSL1 up to 260°C peak reflow AEC Q101 qualified

OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications

Infineon Dual CoolMOS 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S4L22ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง