Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 5 A, 55 V Enhancement, 8-Pin DSO BSO604NS2XUMA1
- RS Stock No.:
- 222-4625
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSO604NS2XUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB509.47
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB545.13
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 20 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB50.947 | THB509.47 |
| 20 - 90 | THB49.672 | THB496.72 |
| 100 - 240 | THB48.43 | THB484.30 |
| 250 - 490 | THB47.219 | THB472.19 |
| 500 + | THB46.039 | THB460.39 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4625
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSO604NS2XUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | DSO | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 35mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19.7nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.47mm | |
| Length | 4.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.94 mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type DSO | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.7nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.47mm | ||
Length 4.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.94 mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 8-Pin DSO
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 55 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 55 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N06S2L65AATMA1
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TISON-8
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET Arrays 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TISON-8 BSC0910NDIATMA1
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S4L35AATMA1
