Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 8.7 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 215-2596
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR120ZTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB17,842.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB19,090.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 8,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB8.921 | THB17,842.00 |
| 4000 - 6000 | THB8.653 | THB17,306.00 |
| 8000 + | THB8.393 | THB16,786.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-2596
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR120ZTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 190mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 35W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 35W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon HEXFET® Power MOSFET series utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR120ZTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-252