DiodesZetex Dual DMN Type N-Channel MOSFET, 250 mA, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 DMN33D8LDWQ-7

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB136.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB145.625

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,950 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB5.444THB136.10
50 - 75THB5.307THB132.68
100 - 225THB5.175THB129.38
250 - 975THB5.046THB126.15
1000 +THB4.919THB122.98

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
222-2840
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMN33D8LDWQ-7
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

250mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-363

Series

DMN

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.4Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.55nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

0.35W

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS

Length

2.15mm

Width

1.3 mm

Height

0.95mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The DiodesZetex Dual n-channel enhancement mode MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP.

Low On-Resistance

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

ESD Protected

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง