onsemi NTBGS1D Type N-Channel MOSFET, 267 A, 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 221-6699
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBGS1D5N06C
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB99,978.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB106,976.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 800 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | THB124.973 | THB99,978.40 |
| 1600 - 1600 | THB120.165 | THB96,132.00 |
| 2400 + | THB118.645 | THB94,916.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 221-6699
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBGS1D5N06C
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 267A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | NTBGS1D | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.55mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 78.6nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 211W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.7 mm | |
| Length | 10.2mm | |
| Height | 15.7mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 267A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series NTBGS1D | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.55mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 78.6nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 211W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.7 mm | ||
Length 10.2mm | ||
Height 15.7mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor 60V of power MOSFET used 267A of drain current with single N−channel. It has lower switching noise/EMI and minimize conduction losses.
Low RDS(on) to minimize conduction losses
Low capacitance to minimize driver losses
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTBGS1D Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBGS1D5N06C
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG022N120M3S
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 7-Pin TO-263 FDB024N08BL7
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET & Diode 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263