onsemi SiC Power N-Channel MOSFET, 203 A, 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 229-6445
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBGS004N10G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB136,740.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB146,312.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 1600 | THB170.926 | THB136,740.80 |
| 2400 - 3200 | THB164.929 | THB131,943.20 |
| 4000 + | THB157.252 | THB125,801.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-6445
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBGS004N10G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 203A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | SiC Power | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 178nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 240W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.7mm | |
| Height | 9.4mm | |
| Length | 10.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 203A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series SiC Power | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 178nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 240W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.7mm | ||
Height 9.4mm | ||
Length 10.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor power MOSFET has rugged technology for utmost reliability. It is specifically designed for wide SOA applications from a 48V bus.
Hot swap tolerant with superior SOA curve
ROHS compliant
Reduces conduction loss
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBGS004N10G
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263 NTBG015N065SC1
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263 NTBG045N065SC1
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247