Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 42 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR1010ZTRPBF

RS Stock No.:: 220-7490
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR1010ZTRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 42 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR1010ZTRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB445.18

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB476.34

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,570 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 490	THB44.518	THB445.18
500 - 990	THB43.405	THB434.05
1000 +	THB42.737	THB427.37

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7490
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR1010ZTRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	42A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	TO-252
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	460nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	366W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	20.7mm
	Length	15.87mm
	Width	5.31 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 42A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type TO-252
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 460nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 366W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 20.7mm
	Length 15.87mm
	Width 5.31 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFR1010ZTRPBF

The Infineon OptiMOS N-channel power MOSFETs are developed to increase efficiency, power density and cost-effectiveness. Designed for high performance applications and optimized for high switching frequency, OptiMOS products convince with the industry's best figure of merit. The OptiMOS power MOSFET portfolio, now complemented by Strong IRFET, creates a truly powerful combination. Benefit from a perfect match of robust and excellent price/performance of Strong IRFET MOSFETs and best-in-class technology of OptiMOS MOSFETs. Both product families answer to the highest quality standards and performance demands. The joint portfolio, covering voltages from 12V up to 300V MOSFETs, can address a broad range of needs from low to high switching frequencies such as SMPS, battery powered applications, motor control and drives, inverters, and computing.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Normal level : Optimized for 10 V gate drive voltage

Industry standard surface-mount power package

Capable of being wave-soldered

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 42 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR1010ZTRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง