Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 86 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB41,097.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB43,974.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB13.699THB41,097.00
6000 - 9000THB13.288THB39,864.00
12000 +THB12.889THB38,667.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
220-7495
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFR3709ZTRLPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET & Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

86A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

79W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

2.39 mm

Height

6.22mm

Length

6.73mm

Automotive Standard

No

The Infineon's OptiMOS N-channel power MOSFETs are developed to increase efficiency, power density and cost-effectiveness. Designed for high performance applications and optimized for high switching frequency, OptiMOS products convince with the industry's best figure of merit. The OptiMOS power MOSFET portfolio, now complemented by Strong IRFET, creates a truly powerful combination. Benefit from a perfect match of robust and excellent price/performance of Strong IRFET MOSFETs and best-in-class technology of OptiMOS MOSFETs. Both product families answer to the highest quality standards and performance demands. The joint portfolio, covering voltages from 12V up to 300V MOSFETs, can address a broad range of needs from low to high switching frequencies such as SMPS, battery powered applications, motor control and drives, inverters, and computing.

Industry-leading quality

Low RDS(ON) at 4.5V VGS

Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

Ultra-Low Gate Impedance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง