Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 77 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 220-7493
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR3504ZTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB47,804.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB51,150.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 10,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB23.902 | THB47,804.00 |
| 4000 - 6000 | THB23.185 | THB46,370.00 |
| 8000 + | THB22.489 | THB44,978.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7493
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR3504ZTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 77A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 45nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 90W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 2.39 mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 6.22mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 77A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 90W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 2.39 mm | ||
Length 6.73mm | ||
Height 6.22mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon Strong IRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface mount package
Silicon optimized for applications switching below <100kHz
Wide availability from distribution partners
Industry standard qualification level
Standard pinout allows for drop in replacement
High performance in low frequency applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR3504ZTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 AUIRFR48ZTRL
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR1010ZTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR24N15DTRPBF