Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET & Diode, 109 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R099P6XKSA1

RS Stock No.:: 220-7457
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPW60R099P6XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET & Diode, 109 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R099P6XKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB360.01

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB385.21

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

240 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 6	THB180.005	THB360.01
8 - 14	THB175.51	THB351.02
16 +	THB172.81	THB345.62

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7457
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPW60R099P6XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET & Diode
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	109A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-247
	Series	CoolMOS P6
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	99mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	70nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd	278W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	16.13mm
	Height	21.1mm
	Width	5.21 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET & Diode
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 109A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-247
	Series CoolMOS P6
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 99mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd 278W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 16.13mm
	Height 21.1mm
	Width 5.21 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPW60R099P6XKSA1

The Infineon's Cool MOS P6 super junction MOSFET family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. Cool MOS P6 closes the gap between technologies which focus on delivering ultimate performance and those which concentrate more on ease-of-use.

Reduced gate charge (Q g)

Higher V the

Good body diode ruggedness

Optimized integrated R g

Improved dv/dt from 50V/ns

Cool MOS™ quality with over 12 years manufacturing experience in super junction technology

Improved efficiency especially in light load condition

Better efficiency in soft switching applications due to earlier turn-off

Suitable for hard- & soft-switching topologies

Optimized balance of efficiency and ease of use and good controllability of switching behaviour

High robustness and better efficiency

Outstanding quality & reliability

Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET & Diode, 109 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R099P6XKSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง