Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode, 5.7 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R2K0P7SAKMA1

RS Stock No.:: 220-7444
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPSA70R2K0P7SAKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode, 5.7 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R2K0P7SAKMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 150 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*

THB1,444.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,545.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,200 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*	การประหยัด
75 - 75	THB19.264	THB1,444.80	-
150 - 225	THB18.686	THB1,401.45	3%
300 +	THB18.125	THB1,359.38	5%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7444
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPSA70R2K0P7SAKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	700V
	Package Type	TO-251
	Series	CoolMOS P7
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Power Dissipation Pd	17.6W
	Forward Voltage Vf	900mV
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.8nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	6.1mm
	Length	6.6mm
	Standards/Approvals	No
	Width	2.38mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 700V
	Package Type TO-251
	Series CoolMOS P7
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Power Dissipation Pd 17.6W
	Forward Voltage Vf 900mV
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.8nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 6.1mm
	Length 6.6mm
	Standards/Approvals No
	Width 2.38mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPSA70R2K0P7SAKMA1

The Infineon Cool MOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive application in consumer market such as charger, adapter, lighting, TV, etc. The new series provides all the benefits of a fast switching super junction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state of the art ease-of use level. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs.

Extremely low losses due rcovery low FOMRDS(on)*Qgand RDS(on)*Eoss

Excellent thermal behavior

Integrated ESD protection diode

Low switching losses(Eoss)

Product validationa cc.JEDEC Standard

Cost competitive technology

Lower temperature

High ES Druggedness

Enables efficiency gainsat higher switching frequencies

Enableshighpowerdensitydesignsandsmallformfactors

Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode, 5.7 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R2K0P7SAKMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง