Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 100 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP100N08S2L07AKSA1
- RS Stock No.:
- 214-9086
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP100N08S2L07AKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 15 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB71.10
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB948.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,014.35
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 365 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 5 - 10 | THB189.60 | THB948.00 | - |
| 15 - 20 | THB184.86 | THB924.30 | THB71.10 |
| 25 + | THB182.014 | THB910.07 | THB189.65 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9086
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP100N08S2L07AKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 182nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.57mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.36mm | |
| Height | 9.45mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 182nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.57mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.36mm | ||
Height 9.45mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP100N08S2L07AKSA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET & Diode 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB100N08S2L07ATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80N08S2L07AKSA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N08S2L21ATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 6-Pin MG-WDSON BSF450NE7NH3XUMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB100N06S2L05ATMA2