Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 16 A, 300 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- RS Stock No.:
- 220-7356
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC13DN30NSFDATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB307,955.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB329,510.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB61.591 | THB307,955.00 |
| 10000 - 15000 | THB59.743 | THB298,715.00 |
| 20000 + | THB57.951 | THB289,755.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7356
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC13DN30NSFDATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 300V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | TDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 130mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.1 mm | |
| Height | 1.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5.35mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 300V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type TDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 130mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.1 mm | ||
Height 1.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5.35mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS Fast Diode (FD) 200V, 250V and 300V is optimized for body diode hard commutation. These devices are the perfect choice for hard switching applications such as telecom, industrial power supplies, Class D audio amplifiers, motor control and DC-AC inverter.
Improved hard commutation ruggedness
Optimized hard switching behaviour
Industry’s lowest R ds(on), Q g and Q rr
RoHS compliant - halogen free
Highest system reliability
System cost reduction
Highest efficiency and power density
Easy-to-design products
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 300 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC13DN30NSFDATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC028N06NSTATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 34 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON