Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 275 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC010N04LSIATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB298,520.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB319,415.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
5000 - 5000THB59.704THB298,520.00
10000 - 15000THB57.913THB289,565.00
20000 +THB56.175THB280,875.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
214-8969
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSC010N04LSIATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

275A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TDSON

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.05mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

700mV

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

87nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

139W

Maximum Operating Temperature

+175°C

Standards/Approvals

No

Height

1.2mm

Length

5.35mm

Width

6.1mm

Automotive Standard

No

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 40V Drain Source Voltage, 275A Continuous Drain Current - BSC010N04LSIATMA1


This MOSFET is a high‑current switching component designed for demanding power applications. It operates across a very wide ambient temperature range and is intended for surface‑mounted PCB implementations in Compact assemblies. The device features an enhancement‑mode N‑channel and supports gate‑drive voltages appropriate for robust switching control.

Features and Benefits:


• Low conduction resistance delivers efficient high‑current switching
• High continuous drain current enables substantial load driving
• 40 V drain‑source rating permits medium‑voltage system use
• 139 W dissipation supports elevated power handling
• 87 nC typical gate charge allows predictable switching energy
• 20 V gate‑source tolerance provides headroom for gate drive

Applications


• Suitable for high‑current DC motor drives
• Used for power distribution in battery systems
• Ideal for synchronous rectification in converters
• Can be used for server and telecoms power stages
• Used with inverter modules requiring robust switches

What temperature extremes can it withstand in operation?


It is rated for continuous use from −55 °C up to +175 °C.

What package and mounting style does it use for PCB assembly?


It is supplied in a TDSON package intended for surface mounting.

How many electrical connections are available for layout and routing?


The device uses an 8‑pin configuration for power and gate connections.

What gate drive behaviour should designers expect during switching?


Designers should plan for a typical gate charge of 87 nC when calculating drive losses and switching times.

What physical footprint should be allowed when placing the component?


The package measures 5.35 mm in length, 6.1 mm in width and 1.2 mm in height.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง