Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 275 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB298,520.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB319,415.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
5000 - 5000THB59.704THB298,520.00
10000 - 15000THB57.913THB289,565.00
20000 +THB56.175THB280,875.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
214-8969
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSC010N04LSIATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

275A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TDSON

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.05mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

139W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

87nC

Forward Voltage Vf

0.7V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

5.35mm

Height

1.2mm

Width

6.1 mm

Automotive Standard

No

The Infineon New 40V and 60V product families, feature not only the industry’s lowest R DS(on) but also a perfect switching behaviour for fast switching applications. 15% lower R DS(on) and 31% lower figure of merit (R DS(on) x Q g) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology. OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements.

Monolithic integrated Schottky-like diode

Optimized for synchronous rectification

100% avalanche tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง