Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 275 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- RS Stock No.:
- 214-8969
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC010N04LSIATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB298,520.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB319,415.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB59.704 | THB298,520.00 |
| 10000 - 15000 | THB57.913 | THB289,565.00 |
| 20000 + | THB56.175 | THB280,875.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-8969
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC010N04LSIATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 275A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.05mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 139W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.7V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 87nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5.35mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.1 mm | |
| Height | 1.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 275A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TDSON | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.05mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 139W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.7V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 87nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5.35mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.1 mm | ||
Height 1.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon New 40V and 60V product families, feature not only the industry’s lowest R DS(on) but also a perfect switching behaviour for fast switching applications. 15% lower R DS(on) and 31% lower figure of merit (R DS(on) x Q g) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology. OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements.
Monolithic integrated Schottky-like diode
Optimized for synchronous rectification
100% avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC010N04LSIATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 34 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 300 V Enhancement, 8-Pin TDSON