Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON

RS Stock No.:: 170-2297
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC014N04LSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB125,285.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB134,055.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

5,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 15 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 - 5000	THB25.057	THB125,285.00
10000 - 15000	THB24.305	THB121,525.00
20000 +	THB23.576	THB117,880.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 170-2297
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC014N04LSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TDSON
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	96W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	61nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.1mm
	Length	5.15mm
	Standards/Approvals	J-STD20 and JESD22
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TDSON
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 96W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 61nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.1mm
	Length 5.15mm
	Standards/Approvals J-STD20 and JESD22
	Automotive Standard No

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 40V Maximum Drain Source Voltage, 100A Maximum Continuous Drain Current - BSC014N04LSATMA1

This MOSFET is a high-current N-channel switching transistor designed for surface-mount power applications. It operates across a wide temperature span, supports substantial continuous drain currents and is intended for compact power conversion and high-efficiency switching tasks in industrial electronic systems.

Features and Benefits:

• 1.4mΩ low Rds(on) reduces conduction losses
• 100A continuous drain current enables high-current handling
• 40V drain-source rating permits mid-voltage power stages
• 61nC typical gate charge supports fast switching performance
• 96W maximum power dissipation allows significant thermal loading
• 20V maximum gate-source voltage accommodates robust gate drive

Applications

• Suitable for DC-DC converter primary and secondary stages
• Ideal for high-current power rails in industrial equipment
• Used with synchronous buck converters for efficient switching
• Can be used for motor driver half-bridge modules
• Suitable for compact surface-mount power assemblies

What package and mounting method does it use?

It is supplied in an 8-pin TDSON package and intended for surface mounting to a board.

How does it cope with extended temperature ranges?

It is rated to operate from -55°C up to 150°C, enabling use in demanding thermal environments.

What gate-drive limitations should designers observe?

The device permits a maximum gate-source voltage of 20V, so gate drivers must remain within this limit.

What electrical polarity and channel behaviour does it follow?

It is an enhancement-mode N-channel device and requires positive gate drive to conduct.