Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode, 205 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC014N04LSTATMA1

RS Stock No.:: 220-7350
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC014N04LSTATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode, 205 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC014N04LSTATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB261.96

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB280.295

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,455 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 1245	THB52.392	THB261.96
1250 - 2495	THB51.082	THB255.41
2500 +	THB50.296	THB251.48

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7350
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC014N04LSTATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	205A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TDSON
	Series	OptiMOS 5
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	61nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	115W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	5.35mm
	Height	1.2mm
	Width	6.1 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 205A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TDSON
	Series OptiMOS 5
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 61nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 115W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 5.35mm
	Height 1.2mm
	Width 6.1 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BSC014N04LSTATMA1

The Infineon OptiMOS 5 power MOSFET in SuperSO8 package offers the latest technology together with temperature improvements in the package. This new combination enables higher power density as well as improved robustness. Compared to lower rated devices, the 175°C TJ_MAX feature offers either more power at a higher operating junction temperature or longer lifetime at the same operating junction temperature. Furthermore, 20% improvement in the safe operating area (SOA) is achieved. This new package feature is the perfect fit for applications such as telecom, motor drives and server.

Low RDS(on)

Optimized for synchronous rectification

Enhanced 175°C capability in SuperSO8

Longer life time

Highest efficiency and power density

Highest system reliability

Thermal robustness

Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode, 205 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC014N04LSTATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง