STMicroelectronics SCTH40N Type N-Channel MOSFET, 33 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
219-4221
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCTH40N120G2V-7
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

33A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

H2PAK

Series

SCTH40N

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

105mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

61nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.8 mm

Length

10.4mm

Height

15.25mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

AEC-Q101 qualified

Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง