STMicroelectronics SCTH90 N-Channel MOSFET, 116 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK SCTH90N65G2V-7

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
201-0868
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCTH90N65G2V-7
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

116A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

H2PAK

Series

SCTH90

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

484W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

157nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

10.4mm

Length

15.25mm

Width

4.8mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 116A and drain to source resistance 18m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitances

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง