STMicroelectronics SCTH90 Type N-Channel MOSFET, 116 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK
- RS Stock No.:
- 201-0868
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTH90N65G2V-7
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB1,101,113.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,178,191.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB1,101.113 | THB1,101,113.00 |
| 2000 - 3000 | THB1,077.176 | THB1,077,176.00 |
| 4000 + | THB1,053.238 | THB1,053,238.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 201-0868
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTH90N65G2V-7
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 116A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | H2PAK | |
| Series | SCTH90 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 24mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 484W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 157nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 10.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.25mm | |
| Width | 4.8 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 116A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type H2PAK | ||
Series SCTH90 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 484W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 157nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 10.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.25mm | ||
Width 4.8 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 116A and drain to source resistance 18m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitances
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCTH90 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK SCTH90N65G2V-7
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK SCTH35N65G2V-7AG
- STMicroelectronics SCTH40N Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT040H120G3AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3-7
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK