Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 71 A, 60 V, 3-Pin IPAK
- RS Stock No.:
- 218-3125
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFU7546PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*
THB1,591.35
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,702.725
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | THB21.218 | THB1,591.35 |
| 150 - 225 | THB20.581 | THB1,543.58 |
| 300 + | THB19.964 | THB1,497.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-3125
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFU7546PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 71A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | IPAK | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.9mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 99W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 87nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 6.22mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 2.39 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 71A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type IPAK | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.9mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 99W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 87nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 6.22mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Width 2.39 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon HEXFET series N-Channel power MOSFET. It is used for applications where switching is below <100KHz.
Lead-free, RoHS compliant
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin IPAK IRFU7546PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR7546TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK
