Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 71 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR7546TRPBF
- RS Stock No.:
- 130-0990
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR7546TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB267.43
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB286.15
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 10,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 490 | THB26.743 | THB267.43 |
| 500 - 990 | THB26.074 | THB260.74 |
| 1000 + | THB25.673 | THB256.73 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 130-0990
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR7546TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 71A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 99W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 58nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 2.39 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 6.22mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 71A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 99W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 2.39 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Height 6.22mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 71A Maximum Continuous Drain Current, 99W Maximum Power Dissipation - IRFR7546TRPBF
This high-performance MOSFET is engineered for various applications that require efficient power management. With robust specifications, it is well-suited for scenarios demanding durability and highcurrent capabilities. It is commonly used in automation and electrical applications, showcasing exceptional performance characteristics across different environments.
Features & Benefits
• Maximum continuous drain current of 71A
• Rated for a maximum drain-source voltage of 60V
• Low on-resistance enhances efficiency in power delivery
• DPAK package designed for ease of surface mounting
• High power dissipation capability improves thermal management
• Enhancement mode operation optimises switching performance
Applications
• Suitable for brushed motor drive
• Useful in battery-powered circuit designs
• Employed in half-bridge and full-bridge topologies
• Effective in synchronous rectifier
• Applied in DC/DC and AC/DC power conversion systems
What is the thermal specification for continuous operation?
It supports a maximum power dissipation of 99W, ensuring efficient operation without overheating under suitable conditions.
How does it perform in high-temperature environments?
The device operates efficiently up to a maximum junction temperature of +175°C, making it applicable in challenging situations.
What mounting options are available for installation?
It features a surface mount design in a DPAK package, allowing for straightforward integration onto PCBs while saving space.
Is there a limitation on the gate voltage?
Yes, the gate-to-source voltage must not exceed ±20V to ensure safe operating conditions.
What measures enhance its reliability during operation?
Ruggedness is improved through avalanche and dynamic dV/dt protection features, ensuring dependable performance in various conditions.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin IPAK IRFU7546PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin IPAK
- onsemi Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 5-Pin DFN NVMFS5C670NLT1G
- onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 5-Pin DFN NTMFS5C670NLT1G
- onsemi NVMFS5C670NL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS5C670NL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 5-Pin DFN NVMFS5C670NLWFAFT1G
