Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 71 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR7546TRPBF

RS Stock No.:: 168-6003
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR7546TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 71 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR7546TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 4000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB25,912.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB27,726.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
2000 - 2000	THB12.956	THB25,912.00	-
4000 - 6000	THB12.567	THB25,134.00	3%
8000 +	THB12.19	THB24,380.00	5%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 168-6003
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR7546TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	71A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	99W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	58nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	6.73mm
	Width	2.39mm
	Standards/Approvals	No
	Height	6.22mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 71A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series HEXFET
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 99W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 6.73mm
	Width 2.39mm
	Standards/Approvals No
	Height 6.22mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 71A Maximum Continuous Drain Current, 99W Maximum Power Dissipation - IRFR7546TRPBF

This high-performance MOSFET is engineered for various applications that require efficient power management. With robust specifications, it is well-suited for scenarios demanding durability and highcurrent capabilities. It is commonly used in automation and electrical applications, showcasing exceptional performance characteristics across different environments.

Features & Benefits

• Maximum continuous drain current of 71A

• Rated for a maximum drain-source voltage of 60V

• Low on-resistance enhances efficiency in power delivery

• DPAK package designed for ease of surface mounting

• High power dissipation capability improves thermal management

• Enhancement mode operation optimises switching performance

Applications

• Suitable for brushed motor drive

• Useful in battery-powered circuit designs

• Employed in half-bridge and full-bridge topologies

• Effective in synchronous rectifier

• Applied in DC/DC and AC/DC power conversion systems

What is the thermal specification for continuous operation?

It supports a maximum power dissipation of 99W, ensuring efficient operation without overheating under suitable conditions.

How does it perform in high-temperature environments?

The device operates efficiently up to a maximum junction temperature of +175°C, making it applicable in challenging situations.

What mounting options are available for installation?

It features a surface mount design in a DPAK package, allowing for straightforward integration onto PCBs while saving space.

Is there a limitation on the gate voltage?

Yes, the gate-to-source voltage must not exceed ±20V to ensure safe operating conditions.

What measures enhance its reliability during operation?

Ruggedness is improved through avalanche and dynamic dV/dt protection features, ensuring dependable performance in various conditions.