Infineon CoolMOS CE N-Channel MOSFET, 5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK IPU60R1K5CEAKMA2
- RS Stock No.:
- 217-2584
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPU60R1K5CEAKMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 150 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*
THB1,073.78
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,148.93
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 600 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 75 - 75 | THB14.317 | THB1,073.78 | - |
| 150 - 225 | THB13.887 | THB1,041.53 | 3% |
| 300 + | THB13.471 | THB1,010.33 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 217-2584
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPU60R1K5CEAKMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | IPAK | |
| Series | CoolMOS CE | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 49W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 6.22mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.41mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type IPAK | ||
Series CoolMOS CE | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 49W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 6.22mm | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.41mm | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CE N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK IPU60R1K5CEAKMA2
- Infineon CoolMOS CE N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220FP IPA60R1K5CEXKSA1
- Infineon CoolMOS CE N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS60R3K4CEAKMA1
- Infineon CoolMOS CE N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS60R800CEAKMA1
- Infineon CoolMOS CE N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50R380CEAUMA1
- Infineon CoolMOS CE N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R1K0CEAUMA1