Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK

RS Stock No.:: 217-2584
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPU60R1K5CEAKMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*

THB859.275

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB919.425

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

600 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
75 - 75	THB11.457	THB859.28
150 - 225	THB11.113	THB833.48
300 +	THB10.78	THB808.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2584
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPU60R1K5CEAKMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	CoolMOS CE
	Package Type	IPAK
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.5Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	49W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	9.4nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.73mm
	Standards/Approvals	No
	Width	6.22 mm
	Height	2.41mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series CoolMOS CE
	Package Type IPAK
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 49W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.4nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.73mm
	Standards/Approvals No
	Width 6.22 mm
	Height 2.41mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPU60R1K5CEAKMA2

The Infineon CoolMOS™ CE is suitable for hard and soft switching applications and as modern superjunction, it delivers low conduction and switching losses improving efficiency and ultimately reduces power consumption. 600V, 650V and 700V CoolMOS™ CE combine the optimal R DS(on) and package offering suitable in low power chargers for mobile phones and tablets.

Narrow margins between typical and max R DS(on)

Reduced energy stored in output capacitance (E oss)

Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr)

Optimized integrated R g

Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง