Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 190 A, 100 V, 7-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 217-2641
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLS4030TRL7PP
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB66,560.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB71,220.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | THB83.201 | THB66,560.80 |
| 1600 - 2400 | THB80.705 | THB64,564.00 |
| 3200 + | THB78.284 | THB62,627.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 217-2641
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLS4030TRL7PP
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 190A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.1mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 140nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 370W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.55 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 15.3mm | |
| Length | 10.35mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 190A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.1mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 140nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 370W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.55 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 15.3mm | ||
Length 10.35mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Pin D2-Pak package.
Optimized for Logic Level Drive
Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS
Superior R*Q at 4.5V VGS I
improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Lead-Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V, 7-Pin TO-263 IRLS4030TRL7PP
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin TO-263 IRFS4010TRL7PP
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 7-Pin TO-263 IRFS7437TRL7PP