Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 190 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TO-263 IRFS4010TRL7PP
- RS Stock No.:
- 130-0998
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS4010TRL7PP
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 200 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB382.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB409.38
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 2 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 2 - 198 | THB191.30 | THB382.60 | - |
| 200 - 398 | THB186.52 | THB373.04 | 2% |
| 400 + | THB183.655 | THB367.31 | 3% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 130-0998
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS4010TRL7PP
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 190A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 380W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 150nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.65mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 190A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 380W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 150nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.65mm | ||
Height 4.83mm | ||
Length 10.67mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V, 7-Pin TO-263 IRLS4030TRL7PP
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF1404ZPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7495TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7490TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH5210TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7473TRPBF
