Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 190 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TO-263 IRFS4010TRL7PP

RS Stock No.:: 130-0998
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFS4010TRL7PP
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 190 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TO-263 IRFS4010TRL7PP

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB316.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB338.34

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

เพิ่มอีก 2 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
2 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 05 มกราคม 2569

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 198	THB158.10	THB316.20
200 - 398	THB154.15	THB308.30
400 +	THB151.78	THB303.56

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 130-0998
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFS4010TRL7PP
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	190A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	150nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	380W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	9.65 mm
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Height	4.83mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 190A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series HEXFET
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 150nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 380W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 9.65 mm
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Height 4.83mm
	Automotive Standard No

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 190 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TO-263 IRFS4010TRL7PP

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง