Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 295 A, 40 V, 7-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 257-5560
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS7437TRL7PP
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB35,014.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB37,465.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 + | THB43.768 | THB35,014.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-5560
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS7437TRL7PP
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 295A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.1mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 231W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.83mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 9.65 mm | |
| Length | 10.54mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 295A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 231W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.83mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 9.65 mm | ||
Length 10.54mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface mount power package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 7-Pin TO-263 IRFS7437TRL7PP
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 7-Pin TO-263 IRFS7434TRL7PP
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 AUIRFS8409-7TRL
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V, 7-Pin TO-263