Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 190 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
168-6011
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFS4010TRL7PP
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

190A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

150nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

380W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

9.65 mm

Height

4.83mm

Standards/Approvals

No

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon


The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง