Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 45 A, 250 V TO-263 IRFS4229TRLPBF

RS Stock No.:: 217-2634
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFS4229TRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 45 A, 250 V TO-263 IRFS4229TRLPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB686.78

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB734.855

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,610 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 195	THB137.356	THB686.78
200 - 395	THB133.92	THB669.60
400 +	THB131.86	THB659.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2634
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFS4229TRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	250V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	48mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	330W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	110nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.67mm
	Width	4.83 mm
	Height	9.65mm
	Standards/Approvals	EIA 418
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 250V
	Series HEXFET
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 48mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 330W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.67mm
	Width 4.83 mm
	Height 9.65mm
	Standards/Approvals EIA 418
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFS4229TRLPBF

The Infineon HEXFET® Power MOSFET is specifically designed for Sustain ; Energy Recovery & Pass switch applications in plasma Display panels. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area and low E pulse rating.

Advanced Process Technology

Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications

Low EPULSE Rating to Reduce Power Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications

Low QG for Fast Response

High Repetitive Peak Current Capability for Reliable Operation

Short Fall & Rise Times for Fast Switching

175°C Operating Junction Temperature for Improved Ruggedness

Repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 45 A, 250 V TO-263 IRFS4229TRLPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง