Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 45 A, 250 V, 3-Pin TO-263 IRFS4229TRLPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (5 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 5)*

THB779.46

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB834.02

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 195THB155.892THB779.46
200 - 395THB151.992THB759.96
400 +THB149.656THB748.28

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
217-2634
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFS4229TRLPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

HEXFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

48mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

330W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.67mm

Width

4.83mm

Standards/Approvals

EIA 418

Height

9.65mm

Automotive Standard

No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 250V Maximum Drain Source Voltage, 45A Maximum Continuous Drain Current - IRFS4229TRLPBF


This MOSFET is a high-voltage switching transistor designed for surface-mounted power applications where robust drain handling and wide temperature operation are required. It functions as an N-channel power device suitable for fast switching and high-current circuits, operating across an extended ambient range with industry-standard approval for EIA-418.

Features and Benefits:


• 250V drain rating delivers high-voltage switching capability
• 45A continuous drain current supports heavy load currents
• 48mΩ Rds(on) reduces conduction losses under load
• 330W power dissipation enables sustained thermal handling
• 110nC gate charge allows predictable gate-drive sizing
• 1.3V forward voltage minimises diode conduction drop

Applications


• Suitable for high-voltage DC-DC converters
• Ideal for motor-drive stages in power electronics
• Used with switching regulators and power supplies
• Can be used for high-current load switching
• Suitable for surface-mount assemblies on heatsink-backed PCBs

What package and mounting style does it use?


It is supplied in a TO-263 package intended for surface mounting.

What environmental conditions can it withstand?


It is specified to operate from -55°C up to 175°C.

How much gate drive energy should designers budget for?


Designers should account for a typical gate charge of 110nC when sizing gate drivers.

Is it suitable for automotive specification applications?


It is not classified as meeting automotive-grade standards.

What maximum gate-to-source voltage must be observed?


The maximum gate-to-source voltage rating is 20V.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง