Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 45 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR2607ZTRPBF
- RS Stock No.:
- 262-6768
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR2607ZTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB325.23
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB347.995
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5,760 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB65.046 | THB325.23 |
| 50 - 95 | THB50.566 | THB252.83 |
| 100 - 245 | THB45.52 | THB227.60 |
| 250 - 995 | THB44.64 | THB223.20 |
| 1000 + | THB41.46 | THB207.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 262-6768
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR2607ZTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 45A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 34nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 45A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.
Ultra low on-resistance
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-252 AUIRFR024NTRL
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263