Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 45 A, 250 V TO-263
- RS Stock No.:
- 217-2633
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS4229TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB54,798.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB58,634.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,400 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | THB68.498 | THB54,798.40 |
| 1600 - 2400 | THB67.009 | THB53,607.20 |
| 3200 + | THB65.52 | THB52,416.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 217-2633
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS4229TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 45A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 48mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 330W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 9.65mm | |
| Width | 4.83 mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | EIA 418 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 45A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 48mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 330W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 9.65mm | ||
Width 4.83 mm | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals EIA 418 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon HEXFET® Power MOSFET is specifically designed for Sustain ; Energy Recovery & Pass switch applications in plasma Display panels. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area and low E pulse rating.
Advanced Process Technology
Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications
Low EPULSE Rating to Reduce Power Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications
Low QG for Fast Response
High Repetitive Peak Current Capability for Reliable Operation
Short Fall & Rise Times for Fast Switching
175°C Operating Junction Temperature for Improved Ruggedness
Repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 250 V TO-263 IRFS4229TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-263
