Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 45 A, 250 V TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB54,798.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB58,634.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 2,400 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
800 - 800THB68.498THB54,798.40
1600 - 2400THB67.009THB53,607.20
3200 +THB65.52THB52,416.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
217-2633
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFS4229TRLPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

HEXFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

48mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

330W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

9.65mm

Width

4.83 mm

Length

10.67mm

Standards/Approvals

EIA 418

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET® Power MOSFET is specifically designed for Sustain ; Energy Recovery & Pass switch applications in plasma Display panels. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area and low E pulse rating.

Advanced Process Technology

Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications

Low EPULSE Rating to Reduce Power Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications

Low QG for Fast Response

High Repetitive Peak Current Capability for Reliable Operation

Short Fall & Rise Times for Fast Switching

175°C Operating Junction Temperature for Improved Ruggedness

Repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง