Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 217-2616
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR220NTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB41,163.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB44,043.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 15,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB13.721 | THB41,163.00 |
| 6000 - 9000 | THB13.31 | THB39,930.00 |
| 12000 + | THB12.91 | THB38,730.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 217-2616
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR220NTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 600mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 43W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 10.41mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 2.39 mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 43W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 10.41mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 2.39 mm | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below <100kHz
Industry standard surface-mount power package
Capable of being wave-soldered
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR220NTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-252 IRFR220NTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR4620TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-252