Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 200 V TO-252 IRFR220NTRPBF
- RS Stock No.:
- 258-3982
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR220NTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB132.91
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB142.215
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,045 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB26.582 | THB132.91 |
| 10 - 95 | THB23.148 | THB115.74 |
| 100 - 245 | THB17.944 | THB89.72 |
| 250 - 495 | THB17.888 | THB89.44 |
| 500 + | THB14.012 | THB70.06 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3982
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR220NTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 600mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 43W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Distrelec Product Id | 304-40-536 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 43W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Distrelec Product Id 304-40-536 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Planar cell structure for wide SOA
Increased ruggedness
Wide availability from distribution partners
Industry standard qualification level
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR220NTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-252 IRFR15N20DTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-252