Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 44 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH5015TRPBF
- RS Stock No.:
- 130-0975
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH5015TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 1000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,580.00
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB394.05
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB421.65
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 2,360 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 5 - 995 | THB78.81 | THB394.05 | - |
| 1000 - 1995 | THB77.23 | THB386.15 | THB1,580.00 |
| 2000 + | THB75.688 | THB378.44 | THB6,244.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 130-0975
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH5015TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 44A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 31mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 156W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 850μm | |
| Length | 6mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 44A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type PQFN | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 31mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 156W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 850μm | ||
Length 6mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH5015TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH8334TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH5210TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH8325TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH7932TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH5300TRPBF
