Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 34 A, 200 V Enhancement, 8-Pin SuperSO IRFH5020TRPBF

RS Stock No.:: 217-2609
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFH5020TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 34 A, 200 V Enhancement, 8-Pin SuperSO IRFH5020TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB298.59

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB319.49

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 6,760 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 990	THB29.859	THB298.59
1000 - 1990	THB29.112	THB291.12
2000 +	THB28.664	THB286.64

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2609
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFH5020TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	34A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	SuperSO
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	55mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	3.6W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	34nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	6 mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	5mm
	Height	0.9mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 34A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type SuperSO
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 55mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 3.6W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 6 mm
	Standards/Approvals RoHS
	Length 5mm
	Height 0.9mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFH5020TRPBF

The Infineon 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Normal level : Optimized for 10 V gate drive voltage

Industry standard surface-mount power package

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 34 A, 200 V Enhancement, 8-Pin SuperSO IRFH5020TRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง