Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 324 A, 25 V SuperSO
- RS Stock No.:
- 218-3103
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH8201TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB118,140.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB126,408.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | THB29.535 | THB118,140.00 |
| 8000 - 12000 | THB28.649 | THB114,596.00 |
| 16000 + | THB27.789 | THB111,156.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-3103
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH8201TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 324A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | SuperSO | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 950mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 156W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6mm | |
| Height | 0.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 324A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type SuperSO | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 950mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 156W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6mm | ||
Height 0.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon HEXFET series single N-Channel Power MOSFET. It is mainly used in battery operated DC motor inverters.
Compatible with Existing Surface Mount Techniques
Low Thermal Resistance to PCB (<0.8°C/W)
RoHS Compliant, Halogen-Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 25 V SuperSO IRFH8201TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 25 V, 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 4-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 25 V, 6-Pin PQFN IRFHS8242TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRFML8244TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 4-Pin PQFN IRFH5250TRPBF
