Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET, 35 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PDFN56

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB77,877.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB83,330.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 5,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB31.151THB77,877.50
5000 - 7500THB30.474THB76,185.00
10000 +THB29.797THB74,492.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
216-9701
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
TSM220NB06CR
ผู้ผลิต:
Taiwan Semiconductor
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Taiwan Semiconductor

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PDFN56

Series

TSM025

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

68W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21

Width

4.2 mm

Height

1.1mm

Length

6.2mm

Automotive Standard

No

The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง