Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET, 124 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PDFN56

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย 625 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*

THB32,843.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB35,143.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
กำลังจะเลิกผลิต
  • 4,975 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
625 - 1225THB52.55
1250 +THB51.742

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
216-9657P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
TSM036N03PQ56
ผู้ผลิต:
Taiwan Semiconductor
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Taiwan Semiconductor

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

124A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TSM025

Package Type

PDFN56

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

50nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.05mm

Length

6mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU

Width

3.78 mm

Automotive Standard

No

The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง