Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET, 161 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PDFN56
- RS Stock No.:
- 216-9650P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TSM025NB04LCR
- ผู้ผลิต:
- Taiwan Semiconductor
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ เนื่องจากผู้ผลิตกำลังจะยกเลิกการผลิตสินค้านี้
- RS Stock No.:
- 216-9650P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TSM025NB04LCR
- ผู้ผลิต:
- Taiwan Semiconductor
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Taiwan Semiconductor | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 161A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | TSM025 | |
| Package Type | PDFN56 | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 112nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 135W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 3.81 mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| Length | 6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Taiwan Semiconductor | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 161A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series TSM025 | ||
Package Type PDFN56 | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 112nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 135W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.1mm | ||
Width 3.81 mm | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
Length 6mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PDFN56 TSM220NB06CR
