Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET, 44 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PDFN56
- RS Stock No.:
- 216-9700P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TSM170N06PQ56
- ผู้ผลิต:
- Taiwan Semiconductor
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 625 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB40,449.375
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB43,280.625
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 1,625 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 625 - 1225 | THB64.719 |
| 1250 + | THB63.724 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 216-9700P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TSM170N06PQ56
- ผู้ผลิต:
- Taiwan Semiconductor
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Taiwan Semiconductor | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 44A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | TSM025 | |
| Package Type | PDFN56 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 73.5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 29nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 5.1 mm | |
| Standards/Approvals | IEC, RoHS, WEEE | |
| Length | 6.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Taiwan Semiconductor | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 44A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series TSM025 | ||
Package Type PDFN56 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 17mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 73.5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.1mm | ||
Width 5.1 mm | ||
Standards/Approvals IEC, RoHS, WEEE | ||
Length 6.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PDFN56 TSM220NB06CR
