Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET, 67 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PDFN56
- RS Stock No.:
- 216-9679P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TSM089N08LCR
- ผู้ผลิต:
- Taiwan Semiconductor
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 630 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB88,841.34
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB95,060.07
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 1,640 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 630 - 1240 | THB141.018 |
| 1250 + | THB138.844 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 216-9679P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TSM089N08LCR
- ผู้ผลิต:
- Taiwan Semiconductor
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Taiwan Semiconductor | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 67A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | TSM025 | |
| Package Type | PDFN56 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 90nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 155°C | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5 mm | |
| Length | 6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Taiwan Semiconductor | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 67A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series TSM025 | ||
Package Type PDFN56 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 90nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 155°C | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5 mm | ||
Length 6mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested
